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周郁明 教授

作者: 时间:2023-08-31 点击数:


   

 

姓 名

周郁明

性 别

出生年月

1971

政治面貌

中共党员

最后学历

研究生毕业

最后学位

工学博士

技术职称

教授

导师类别

硕士生导师

导师类型

院内

兼职导师

行政职务

系主任

Email

ymzhou@ahut.edu.cn

v个人简介

1997年和2007年分别毕业于西安建筑科技大学和华中科技大学,获得工学学士学位和工学博士学位。2007年作为引进人才进入湖南大学工作,同年底进入湖南大学电气工程博士后流动站工作,2010年8月调入安徽工业大学必威,现为必威电气工程系主任、功率变换研究室主任主要研究方向为新型功率变换器技术、电力电子技术在新能源发电中的应用、基于DSP的数字控制技术等。主持完成包括国家自然科学基金在内的多项纵向课题。发表SCI和EI收录论文三十余篇,授权发明专利8件。2013年7月至2014年7月年受国家留学基金委全额资助赴美国奥本大学做访问学者一年。

v招生专业

1、电气工程(学术型) 2、检测技术与自动化装置  3、控制理论与控制工程   5.电气工程(专业型)  6、控制工程(专业型)  7、电气工程(在职工硕)  8、控制工程(在职工硕)

v社会、学会及学术兼职

国家自然科学基金同行评议专家,教育部学位与研究生教育学位评审专家,安徽省科技厅科技项目评审专家,中国电源学会会员、中国电源学会元器件委员会委员

v科研项目

1、横向课题:一种低压配电节电器,经费15万元,主持在研。

2、安徽省自然科学基金:超结沟槽型SiC MOSFET新结构及其关键技术研究, 经费12万元,主持在研。

3、安徽高校自然科学研究项目:Si/GaN混合功率模块及其可靠性研究,经费6万元,主持完成。

4、安徽高校自然科学研究项目:高迁移率4H-SiC MOSFET的研究,经费6万元,主持完成。

5、国家自然科学基金面上项目:高功率4H SiC光导开关超高耐压形成方法研究,经费65万元,主持完成。

6、湖南省博士后科研资助计划:4H-SiC功率器件RSD的研究,经费5万元,主持完成。

v研究领域

1、新型电力电子器件及其应用技术 

2、功率集成技术

3、电力电子功率变换技术

v发表论文

1、Qiusheng Zhang, Hangzhi Liu and Yuming Zhou*. Investigation on the Degradation Mechanism of Si/SiC Cascode Device Under Repetitive Short-Circuit Tests. IEEE Open Journal of Power Electronics, vol. 5, pp. 369-380, 2024.

2、周郁明*, 穆世路, 杨华等.Si/SiC混合开关最优门极延时及其在逆变器中的应用. 电子学报, 2023, 51(06): 1468-1473.

3、Yuming Zhou*, Hangzhi Liu, Shilu Mu, Zhaoquan Chen, and Bing Wang. Short-Circuit Failure Model of SiC MOSFET Including the Interface Trapped Charges. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2020, 8(1): 90-98.
4、周郁明*,武钰,陈兆权,王兵. 基于常通型碳化硅JFET的自供电固态断路器. 电力电子技术, 2020, 54(2): 63-65.

5、周郁明*,蒋保国,刘航志,陈兆权,王兵. 包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型. 中国电机工程学报,2019, 39(19): 5604-5612.

6、周郁明*,刘航志,杨婷婷. SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比. 电子学报,2019,47(3):726-733.

7、周郁明*,蒋保国,陈兆权,王兵. 场效应晶体管短路失效的数值模型. 西安电子科技大学学报,2019,46(4):175-184.

8、周郁明*,刘航志,杨婷婷. SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比.电子学报,2019,47(3):726-733.

9、周郁明*,刘航志,杨婷婷,王兵. 碳化硅MOSFET电路模型及其应用. 西安电子科技大学学报,2018 45(3):97-101.

10、Yuming Zhou*, Hangzhi Liu, Tingting Yang, and Bing Wang. SPICE Modeling of SiC MOSFET Considering Interface-Trap Influence. CPSS Transactions on Power Electronics and Applicaitons, 2018, 3(1): 56-64.

11、周郁明*,刘航志,杨婷婷,王兵. 碳化硅MOSFET的Matlab/Simulink建模及其温度特性评估. 南京航空航天大学学报,2017,49(6):851-857.

12、周郁明*,李勇杰,鲍观甲,刘航志. 基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET Spice模型研究. 中国科学技术大学学报,2017,47(10):878-884.

v出版专著和教材

电工电子电子技术与应用2018中国电力出版社,参编

v指导学生情况

已指导毕业研究生23名,在读研究13名。


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